光氧凈化設備凈化過程

　　光氧凈化設備凈化過程，是常溫   反應技術。 光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中污染物   氧化成   的產物，而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術則需要在   的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要幾百度的高溫。

　　從理論上講，只要 半導體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產生電子和空穴，該半導體就有可能用作光催化劑。常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對特定反應有突出優(yōu)點，具體   中可根據需要選用，如CdS半導體帶隙能較小，跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對而言，Ti02的綜合性能較好，是   廣泛使用和   的單一化合物 光催化劑。